制造商产品编号:
TSM120N06LCR RLG
Product Overview
制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件编号:
TSM120N06LCR RLG-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
详细描述:
N-Channel 60 V 54A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
库存:
12900028
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TSM120N06LCR RLG 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Taiwan Semiconductor
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
60 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
54A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
36.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
2116 pF @ 30 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
69W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
8-PDFN (5x6)
包装 / 外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
TSM120
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
2,500
其他名称
TSM120N06LCR RLGTR
TSM120N06LCRRLGTR
TSM120N06LCR RLGDKR-DG
TSM120N06LCR RLGTR-DG
TSM120N06LCR RLGCT
TSM120N06LCRRLGCT
TSM120N06LCRRLGDKR
TSM120N06LCR RLGCT-DG
TSM120N06LCR RLGDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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